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开始采用SOI材料做基板时,芯片制造商在生产过程中仍然能够继续使用传统的制造工艺和设备。事实证明,SOI完全能够满足主流MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的性能需求。对部分耗尽型和全部耗尽型CMOS(互补金属氧化物半导体)器件的性能改善、漏电流减小以及功耗减少等都会产生极大地影响,特别适合于低电压器件结构等。
除了CMOS器件,SOI还可用来制造技术领先的微电子机械系统(MEMS
),MEMS可用于传感器以及微光电技术电路等。此外,也可以利用SOI增强BiCMOS、功率器件和高压器件的性能,另外还能够改善在高温环境或者曝光在电离辐射环境下的集成电路的性能。